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『产品速递』重庆平创半导体推出的650V/20A和1200V/20A碳化硅肖特基二极管产品通过车规可靠性认证（AECQ101），这两款产品具有较低的导通压降（VF），超低漏电（IR），和高抗浪涌冲击能力。此认证的通过表明我司650V和1200V产品平台具有高可靠性，已达到国际车规水准。

重庆平创半导体坚持自主研发芯片产品，基于市场需求，专注提升产品性能，降低芯片成本，提升产品性价比。由重庆平创半导体自主研发的碳化硅产品拥有多种封装形式，如TO263-3、TO220-2、TO252-3、TO247-2、TO247-3和TO247-4等，主要应用于光伏、OBC、充电桩和DC-DC转换器等领域。

随着电力电子设备性能的不断提升，人们对功率器件的功率密度和开关频率的要求也越来越高，传统硅基IGBT配FRD的方案已无法满足客户的需求，因此需要开发更高性能的主开关器件。新方案硅基IGBT配碳化硅SBD逐步得到了广大客户的认可，该方案兼顾了产品的性能与价格，且碳化硅肖特基二极管的“零反向恢复”减少了开关损耗，降低了杂散电感对整个系统的影响，显著改善了系统的EMI，提升了整个PFC拓扑的开关效率。