SiC SBD (Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes) 全称碳化硅肖特基势垒二极管。归功于它们实际上不存在的反向恢复电荷和非常低的寄生电容，使得其具有低正向电压、低反向漏电流和非常低的开关损耗。作为 SiC，这些器件可以在比硅二极管更高的温度下可靠地运行。结合其低损耗，SiC SBD是车载充电器、功率因数校正整流器和其他高压、高频应用等要求苛刻的应用的理想选择。