开启功率封装全铜互联时代

Eiectronica China 2025

2025年4月15日至17日，2025慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心隆重举行。位于N4馆733展位的重庆平创半导体研究院有限责任公司（以下简称“平创半导体”）携多款功率半导体创新产品及工艺方案亮相，覆盖从底层材料、芯片封装到驱动方案的全链条技术，为行业带来高性能、高可靠性的解决方案。

一、底层材料革新：从“银”到“铜”的跨越，破解行业痛点

平创半导体推出行业首款量产型有压烧结纳米铜膏，并攻克了AMB底板与塑封模块到散热器的大面积铜烧结工艺，发布车规级大面积烧结功率模组。该技术实现三大升级：

1.热阻降低10%以上：相比传统银烧结+焊片工艺，铜烧结模组导热性能更优，相同成本下热阻降低超10%，显著提升器件散热效率；

2.成本更优，可靠性更高：铜材料成本远低于银，且更不容易发生电迁移问题，有利于延长器件寿命；

3.适应大规模制造：平创半导体通过优化烧结压力、温度曲线等参数，实现了铜烧结工艺的稳定量产，可满足车规级模块对一致性的严苛要求。

此外，平创半导体还在功率模块中全面应用铜烧结技术，推出全铜烧结SiC功率模块。通过铜互连替代传统铝线键合，提升电流承载能力，同时降低热应力对芯片的损伤，为高频、高压应用场景提供更优选择。

二、分立器件升级：双面散热、顶部散热，全面提升功率密度

在分立器件领域，平创半导体聚焦封装技术的革新，推出顶部散热TOLT/QDPAK封装和双面散热TOLL封装两大系列产品，直击传统单面散热器件的效率瓶颈。

双面散热TOLL封装：通过优化封装结构，将散热路径从单面扩展至上下双面，出流能力提升30%，同时封装厚度较传统TOLL减少20%。这一设计尤其适用于服务器电源、新能源汽车OBC（车载充电机）等对空间和散热要求苛刻的场景。

顶部散热TOLT/QDPAK：突破传统封装底部散热的限制，将散热路径转移至顶部，降低PCB布局热耦合压力，助力客户设计更紧凑的电源系统。

三、功率模块进化：低杂感、高频化，赋能工业与汽车应用

针对工业变频器、光伏逆变器、新能源汽车电驱等高频应用需求，平创半导体推出低杂感工业级SiC MOS功率模块，并完成对34mm、62mm等主流封装的寄生杂感优化。

技术亮点：

     1.寄生杂感<15nH：通过叠层母排设计、芯片布局优化及低感端子结构，模块内部杂感降至15nH以下，支持开关频率超400kHz，显著降低开关损耗；

     2.P2P兼容设计：模块封装尺寸与主流产品完全兼容，客户无需修改结构即可实现性能升级。

四、驱动方案生态：标准化+智能化，加速客户产品落地

平创半导体深谙“器件性能的极限，取决于驱动与系统的协同”。为此，公司同步推出标准化驱动板方案，覆盖34mm/62mm/ED3等主流SiC MOS模块封装，助力客户快速完成系统集成。

驱动方案核心功能：

      1.支持定制化需求设计；

    2.可集成退饱和保护、模块温度监测、母线电压监测、互锁死区调节、欠压监测等保护功能，提升系统安全性；

五、不止于产品：从器件到系统，全链赋能客户价值

展会期间，平创半导体的展位人头攒动，客户咨询不断。平创半导体资深产品经理、销售与技术专家（FAE）团队，在展会现场通过技术讲解、场景演示与互动咨询，耐心解答客户疑问，全面展示了公司技术实力与产品优势，并与客户就未来合作进行了深入探讨。

平创半导体的创新，始终围绕客户需求展开。公司不仅提供高性能器件，更从材料选型、热管理设计、驱动参数优化等维度，为客户提供系统级降本增效方案。

以技术为锚，与行业共进

     在“双碳”目标与智能化浪潮的双重驱动下，功率半导体正成为产业升级的核心引擎。平创半导体凭借从材料到系统的全链创新能力，持续为客户提供“更高效、更可靠、更经济”的解决方案。

     未来，我们将继续深耕SiC与先进封装技术，与合作伙伴共同探索能源电子的无限可能！