新品速递 | 平创半导体推出QDPAK封装SiC MOSFET,赋能高密度功率设计

#平创半导体
06-19
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新品概览

平创半导体正式推出两款采用QDPAK顶部散热封装的SiC MOSFET新品——PCMP8N65C2P与PCMP11N120C2P,分别支持650V/191A与1200V/137A的额定性能,兼顾低导通电阻、高开关速度与封装热优化,面向新能源汽车OBC/DCDC、工业驱动、服务器电源及高效光伏逆变器等高密度功率转换应用。

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QDPAK封装简化了器件的组装流程,有助于客户有效降低系统总体成本。相比传统的底部散热方案,顶部散热结构使PCB布局更加灵活,有利于进一步优化电路设计,显著减小寄生元件和寄生电感对系统性能的干扰。

关键性能一览

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技术优势解析

✔  高耐压、低导通电阻

✔  高速开关、低电容设计

✔  具备雪崩耐受能力

✔  抗闩锁能力强

✔  环保设计,符合RoHS标准

应用价值洞察

●易并联、驱动简单

●更高的功率密度

●与底部散热封装相比,具有出色的热性能

典型应用场景概览

●高性能照明电源

●高压DC/DC转换器

●工业级开关电源

●暖通空调电源系统(HVAC)

文中PCMK8N65C2P与PCMP11N120C2P的数据手册由此查看