据充电头网于2024年12月底发布的拆解报告显示，Anker 150W四口PD3.1氮化镓充电器中采用了平创半导体PCDF10S65C1P碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），位于PFC升压级整流位置，赋能高效率、高功率密度架构设计。

器件位置与功能

图1(a)为Anker 150W氮化镓充电器的实拍图，图1(b)展示了充电器内部主控PCBA正面结构，图1(c)为其中所采用的平创半导体PCDF10S65C1P碳化硅肖特基二极管实物图。如图1(d)所示，该器件被应用于充电器的PFC升压电路中，与PFC升压电感及GaN HEMT开关管协同工作，作为主整流元件，承担高频续流与能量整流的关键任务，是实现高转换效率与高功率密度设计的重要保障之一。

图1 Anker 150W氮化镓快充拆解及PFC升压电路拓扑图

关键性能一览

● 耐压能力 V_RRM：650V

● 正向电流 I_F(AV)：10A（@138℃）

● 正向压降 V_F(typ.)：1.36V

●  电荷量 Q_c(typ.)：25nC

● 零反向恢复电流 Zero Recovery

● 封装形式：TO-220F-2L

技术优势解析

√ 零反向恢复电流，大幅降低高频开关损耗

√ 低电荷量与低结电容，显著降低切换损耗并简化EMI控制

√ 适配GaN拓扑，助力快充系统实现高频、高密度功率变换

√ 高温鲁棒性强，满足小体积高功率快充对热管理的严苛要求

更多适用于小功率充电器与电源应用的产品推荐

除了本次拆解中所应用的PCDF10S65C1P碳化硅二极管，平创还面向小功率充电器、电源适配器等应用，推出了650V等级的碳化硅二极管与MOSFET系列产品，产品封装丰富，性能匹配快充拓扑，助力客户实现高频、高效、小型化电源设计。

文中PCDF10S65C1P的数据手册由此查看

注：拆解实物图源自充电头网于2024年12月发布的Anker 150W产品拆解报告