产品介绍
平创半导体针对AMB基板或塑封器件与散热器之间的连接需求,开发了大面积有压烧结铜膏seCure-BC0323。本产品可将烧结条件降低至220℃,15MPa,为客户提供高可靠的大面积烧结的解决方案。
随着这些大功率器件集成化、智能化和微型化的不断发展,器件功率密度越来越高,工作时产生大量的热量,造成器件结温快速上升(>150℃)。虽然目前芯片封装采用诸如银烧结或铜烧结的技术,提升散热能力,进而提升器件的可靠性,但是对于系统级器件,仍然无法满足高温高可靠的应用需求。seCure-BC0323便是为解决这一问题而诞生的一种材料,旨在为汽车、工业和新能源应用的系统性能提供显著提升,满足下一代模块烧结技术苛刻要求的产品。
● 卓越的工艺性
seCure-BC0323可以显著降低烧结参数,避免高温高压对于AMB或塑封器件的损害,同时兼顾了优异的导热性能。印刷和烘干后表面无缺陷,避免因大的孔隙等缺陷而降低热性能。此外,由于独特的铜粉体合成工艺以及独特的溶剂体系开发,seCure-BC0323工艺窗口宽泛,浆料烘干放置24h内,不影响其连接性能,因此具有更长的操作时间。
● 提升成本效益
seCure-BC0323的使用,降低了器件的烧结参数,提供了更优异的散热条件和高温可靠性,这意味着产品的生产效率以及可靠性大幅提升。此外,还可以进一步提高模块的功率性能,有望在使用更少的器件的前提下,满足现有模组的功率性能。同时,优异的连接性使得无需厚的焊接层来保证器件的可靠性,降低了封装材料的使用,从而提升成本效益。
主要性能
● 铜膏印刷效果
铜膏印刷效果(49*46.5mm,印刷厚度200μm)
印刷厚度200μm,无印刷缺陷。烘干后表面平整无裂纹。焊接完成后,厚度降低至80-100μm。
● 剪切强度
在230℃和260℃,15MPa烧结10min条件下的剪切强度
由于烧结面积较大,烧结强度较高,无法直接通过推整体结构来获取器件的剪切强度。我们通过将铜板切割成若干5*5mm的小铜板,通过统计小铜板的强度估算器件整体强度。在230℃,15MPa,10min的烧结条件下,烧结强度即可达到48.05MPa,在如此苛刻的烧结条件下,仍然可以达到非常好的烧结效果。当把温度提升到260℃,烧结强度可以大幅度提升至57.6MPa。
230℃,15MPa,10min条件下烧结体截面的SEM图
从SEM图中可以看出,在230℃,15MPa ,10min条件下,烧结层连接致密,颗粒之间彼此连接,扩散形成大面积的烧结颈。表明了seCure-BC0323优异的低温烧结性能,非常适用于对温度敏感的器件。
● 器件热阻
全锡膏模块与全铜膏模块的热阻对比
全铜封装的模块(芯片采用铜烧结,底板也采用铜烧结)比锡膏焊接的模块整体结壳热阻降低8.93%。降低模块热阻可以显著提升模块的散热效果,确保器件在长时间高负荷运行时能够保持较低的工作温度。通过构建热仿真模型,SiC设置功率损耗为80W,二极管损耗12W,使得全锡膏工艺下的最大结温趋近150℃。当芯片下部采用铜烧结工艺,而DBC下部与基板相连的部分仍采用锡焊料,最大结温Tjmax可以从148℃降低至140.9℃,降低了7.1℃。当DBC下部封装材料替换为烧结铜时,Tjmax可以降至134.9℃。结温波动的降低可以显著提升器件的使用寿命,并且提高器件功率等级。
上图为模块的热仿真结果:
(a)芯片及DBC下部均为锡膏
(b)芯片下部为铜烧结,DBC下部为锡膏
(c)芯片及DBC下侧均为烧结铜
● 可靠性
温度冲击试验前后DBC下部焊层的SAT表征
平创半导体推出的烧结铜浆料不仅烧结强度高,工艺窗口宽泛,并且具备优异的可靠性。经过1000cycles -55-150℃的温度冲击,器件没出现明显的分层和大的空洞,表明了铜焊料层优异的可靠性,并且铜焊料层的加入可以提升器件整体的耐高温性能。
技术参数
产品优势
● 专门为大面积烧结设计
● 较宽的工艺窗口和可操作性
● 更低的烧结参数以及更高的连接强度
● 能承受更恶劣的工作温度
● 无需清洗有望节约器件成本
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