IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) 全称绝缘栅双极型晶体管，是结合 MOSFET 前端和 BJT（双极结晶体管）后端来实现的电压控制双极结晶体管，具有两者的优点。与MOSFET一样，IGBT是由电压控制的，并且可以在更高的频率下轻松驱动。与BJT一样，IGBT利用集电极载流子注入效应在电流增加时降低其电阻，保持恒定的低正向电压，独立于集电极电流。这使其在非常高电流的应用中得到广泛采用，例如汽车和工业电机驱动以及电网等应用领域。